【器件论文】GaN/Ga₂O₃ P-N 结二极管的电气特性： TCAD 研究

        近日，由越南胡志明市科技大学的研究团队在学术期刊Journal of Technical Education Science发布了一篇名为Electrical Properties of GaN/Ga₂O₃ P-N Junction Diodes: A TCAD Study（GaN/Ga₂O₃ P-N 结二极管的电气特性： TCAD 研究）的文章。

摘要

        因Ga₂O₃ 和 GaN 的宽禁带范围从 3.0 eV 到 4.9 eV，因此而成为制造高功率半导体器件的理想材料。在这些材料中，GaN/Ga₂O₃ P-N 结二极管即使在高温下也具有优异的性能，因此适合大功率应用。本研究利用计算机辅助设计（TCAD）模拟对 GaN/Ga₂O₃ P-N结二极管进行了研究。根据 p 型GaN层的厚度及其掺杂浓度对二极管的特性进行了优化。结果发现，二极管的电流-电压 (IV) 特性随着GaN层厚度的增加而降低。为了实现高电流输出，优化厚度被确定为 500 nm。此外，二极管内的掺杂浓度对输出电流有很大影响。未掺杂的GaN样品获得的电流最大，而掺杂浓度的增加会导致获得的电流减小。

DOI：

doi.org/10.54644/jte.2024.1481