【器件论文】NiO掺杂和沟槽壁倾斜对 Ga₂O₃ PiN 二极管性能的影响

        近期，由韩国光云大学的研究团队在学术期刊Microelectronics Journal发布了一篇名为Effects of NiO Doping and Trench Wall Tilt on Ga₂O₃ PiN Diodes Performance（NiO掺杂和沟槽壁倾斜对 Ga₂O₃ PiN 二极管性能的影响）的文章。

摘要 

        氧化镓 (Ga₂O₃) 由于其宽带隙（约 4.9 eV）、高巴利加优值 (3444 W/cmK) 以及高击穿电场（E_c，8 MV/cm），被认为是下一代功率半导体的理想材料。为了实现高耐压和低漏电流，研究者们对 PN 异质结和倒角结构进行了大量研究。本文中，我们利用 Sentaurus TCAD 模拟了 NiO 掺杂浓度和 NiO 沟槽倾角对具有沟槽 NiO 的 NiO/Ga₂O₃ PiN 二极管电特性的影响。随着 NiO 掺杂浓度的增加，电阻从 21.5 mΩcm² 下降至 7.5 mΩcm²，且我们观察到了耗尽区从 NiO 扩展至 NiO/Ga₂O₃ 界面。此外，随着 NiO 沟槽倾角的增大，电阻减少并且击穿电压发生变化。通过理解如何优化倾角来减少边缘区域的高电场集中，预期能够制造出更稳定的 Ga₂O₃ PiN 二极管。

DOI：

https://doi.org/10.3390/s24175822