【器件论文】在 Ga₂O₃ (010) 衬底上制造具有同轴 (100) 面栅极侧壁的 Ga₂O₃  鳍式场效应晶体管

        近期，由日本情报通信研究机构的研究团队在学术期刊Japanese Journal of Applied Physics发布了一篇名为Ga₂O₃ fin field-effect ransistors with on-axis (100)-plane gate sidewalls fabricated on Ga₂O₃ (010) substrates（在 Ga₂O₃ (010) 衬底上制造具有同轴 (100) 面栅极侧壁的 Ga₂O₃  鳍式场效应晶体管）的文章。

摘要

        研究人员在β-Ga₂O₃（010）衬底上制造出了Ga₂O₃鳍式场效应晶体管（FinFET），这些衬底的栅极侧壁是通过氮自由基辐照处理的同轴（100）面。鳍宽（W）为 400 nm 的典型 FinFET 显示出良好的导通器件特性，例如 6.9 mΩcm² 的低比例导通电阻、超过 10⁹ 的高漏极电流导通/关断比以及 82 mV/decade 的亚阈值斜率。FinFET 的阈值电压（V_th）随着 W_fin 的减小而增加，当 W_fin < 800 nm 时，可实现 V_th > 0 V 的增强模式工作。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad7f38