【器件论文】利用部分栅极凹槽结构提高增强型β-Ga₂O₃ MOSFET 的性能

        近期，由台湾阳明交通大学的研究团队在学术期刊ACS Applied Electronic Materials发布了一篇名为Performance Improvement of Enhanced-Mode β-Ga₂O₃ MOSFETs by Partial Gate Recess Structure（利用部分栅极凹槽结构提高增强型β-Ga₂O₃ MOSFET 的性能）的文章。

摘要

        本研究通过金属有机化学气相沉积在c面蓝宝石衬底上生长β-Ga₂O₃薄膜，并制备了栅极凹陷异质外延β-Ga₂O₃金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），以实现增强模式操作。研究发现，通过原位掺杂和部分栅极凹陷，Ga₂O₃薄膜的导电性得到了进一步提升。输出电流从4.21 mA/mm增加到5.76 mA/mm，R_on.sp从392 mΩ·cm²降低到238 mΩ·cm²，μ_FE从15 cm²/(V·s)提升至19.9 cm²/(V·s)，其中栅极凹陷分别为7和5 μm。器件阈值电压为正值，具有低R_on和优异的I_D on/off比。通过使用栅极场板，击穿电压得到了提高。总之，采用更短的栅极凹陷结构提升了增强模式β-Ga₂O₃ MOSFET的性能。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c00835