【器件论文】具有超高日盲紫外线偏振比的β-Ga₂O₃ 纳米带

        近期，由中国科学院半导体研究所的研究团队在学术期刊Advanced Materials发布了一篇名为β-Ga₂O₃ Nanoribbon with Ultra-High Solar-Blind Ultraviolet Polarization Ratio（具有超高日盲紫外线偏振比的β-Ga₂O₃ 纳米带）的文章。

摘要

        日盲紫外线（UV）检测在成像和通信中起着关键作用，因其低噪声背景、高信噪比和强抗干扰能力。检测紫外光的偏振状态可以增强图像信息并扩展通信维度。尽管可见光和红外光的偏振检测已在天体物理学和海底地震波检测等领域得到应用，但日盲紫外偏振检测仍鲜有报道，这主要是由于制造具有高透过率、高消光比和强紫外辐射耐受性的紫外偏振器的挑战。在本研究中，发现了β-Ga₂O₃的b-c平面的空间对称性破缺，导致显著的光学吸收二色性比。利用β-Ga₂O₃的高日盲紫外响应，设计了一种无需使用日盲紫外偏振器的无透镜日盲紫外偏振敏感光电探测器，成功规避了传统日盲紫外偏振器的相关难题。该探测器在254 nm线性偏振光下表现出极高的内在偏振比，比其他报道的基于纳米材料的偏振敏感光电探测器高出约两个数量级。此外，它在日盲紫外成像和光通信方面展现出显著优势。该研究引入了一种全新的日盲紫外偏振检测策略，并为日盲光通信提供了一种前景广阔的方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/adma.202406559