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【国际时事】日本大阪公立大学东胁正高教授被评选为 Clarivate 2024 高被引研究者，开启氧化镓研究的新征程
日期：2024-12-04阅读：213
2024年11月19日，科睿唯安（Clarivate Analytics）发布了2024年度“高被引科学家”（Highly Cited Researchers）名单，来自全球59个国家和地区1200多个机构的6,636名科学家共6,886人次入选该名单。数据显示有多篇论文被引用次数排名前 1%，在过去十年对自然科学和社会科学的单个或多个学科产生了重要的学术影响力。
其中在氧化镓研究领域，来自日本大阪公立大学的东胁正高教授入选该名单。这是继 2021 年和 2023 年之后，东胁教授第三次入选 “高被引研究者”。
东胁正高教授寄语：
很高兴我们有关于氧化镓器件的研究论文能够被大量引用，并且很荣幸第三次被选为 “高被引研究者”。我们相信，这标志着氧化镓的研究和开发正在全球范围内不断扩大。感谢与我进行共同研究的朋友，今后我将决心继续钻研氧化镓器件的实际应用。
以下是近期东胁正高教授在学术期刊Annual Review of Materials Research发表的名为Beta-Gallium Oxide Material and Device Technologies（β-氧化镓材料和器件技术）的综述性论文文章。
摘要
β-氧化镓（β-Ga2O3）是一种已经具有约 70 年研究和开发历史的材料；然而，长期以来，其作为半导体并没有引起太多关注。在过去的十年中，这种情况发生了彻底改变，世界见证了对材料和器件的积极研究和开发的需求不断增长。它的许多独特的物理性质归功于其 4.5 eV 的超大带隙能量。另一个重要特征是可以通过熔体生长法生长大型块状单晶。在本文中，我们首先讨论了 β-Ga2O3 用于电子器件应用的重要物理性质，然后讨论了块体熔体生长和薄膜外延生长技术。然后，讨论了最先进的 β-Ga2O3 晶体管和二极管技术。
图1. β-Ga2O3 的原子单胞。
图 2. Ga2O3 熔融生长方法。缩略：CZ，Czochralski；EFG，限边馈膜生长；FZ，浮区；VB，垂直布里奇曼。
如需了解更多，请参考原文链接：https://doi.org/10.1146/annurev-matsci-080921-104058
