【器件论文】通过液态金属氧化法制造出具有快速响应和轨迹跟踪能力的超薄 Ga₂O₃ 光电探测器

        近日，由东北师范大学的研究团队在学术期刊Nano Letters发布了一篇名为Ultrathin Ga₂O₃ Photodetector with Fast Response and Trajectory Tracking Capability Fabricated by Liquid Metal Oxidation（通过液态金属氧化法制造出具有快速响应和轨迹跟踪能力的超薄 Ga₂O₃ 光电探测器）的文章。

摘要

        低维 Ga₂O₃ 具有独特的紫外光响应，可用于各种电子和光学系统。然而，低维  Ga₂O₃ 光探测器面临着制备工艺复杂与器件性能差的挑战。在这项工作中，通过将液态镓置于紫外光下，在石英棒上制备了厚度为 7 nm的超薄 Ga₂O₃ 层。得益于紫外线照射固化的低密度氧空位缺陷，低维 Ga₂O₃ 光电探测器表现出较高的响应速度（上升：64.7 μs；下降：51.4 μs）和 120 dB 的优异线性动态范围。此外，基于这些超薄 Ga₂O₃ 的光电探测器阵列通过监测紫外光源的运动，显示出有效的轨迹跟踪能力。本项研究开发了一种简单的制备方法来构建具有快速响应和有效轨迹跟踪能力的低维紫外光探测器阵列，展示了超薄 Ga₂O₃ 在紫外光电子学中的重要作用。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c04030