【器件论文】GLAD 合成的基于 Ga₂O₃ 纳米线的光电二极管

        近日，由印度杜尔加布尔国立技术学院的研究团队在学术期刊Applied Physics A发布了一篇名为GLAD synthesized Ga₂O₃ nanowire-based photodiode（GLAD 合成的基于 Ga₂O₃ 纳米线的光电二极管）的文章。

摘要

        采用电子束蒸发和掠射角沉积（GLAD）相结合的方法，在硅衬底上制造了Ga₂O₃纳米线阵列。显微成像和能量色散 X 射线（EDX）制图证实了具有精确化学计量的纳米线状结构的形成。X 射线衍射验证了晶体 β-Ga₂O₃结构。利用Tauc图谱，通过紫外可见吸收光谱测定了 3.2 eV 和 4.5 eV 的光带隙值。通过电流-电压（I-V）测量评估了 Au/Ga₂O₃ 纳米线/p-Si/In 器件的光电特性，电容-电压（C-V）测量得出自由载流子浓度（N_d）为 5.6 × 10¹⁷ cm⁻³。随温度变化的 I-V 特性显示，随着温度升高，理想因子和串联电阻下降，同时势垒高度增加，表明势垒不均匀。随波长变化的响应度和检测度测量结果表明，该器件在紫外（~300nm）和近紫外（~400nm）区域的性能有所提高。在紫外区，该器件的响应率分别为 2.29 A/W 和 6.54 A/W，检测率分别为 2.51 × 10⁹ Jones 和 8.64 × 10⁹ Jones。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s00339-024-07917-6