【其他论文】β-氧化镓纳米线的形状控制生长及电子起源实验研究

摘要

        利用化学气相沉积技术实现了单斜氧化镓纳米线的直径可控生长。在生长之前，首先制备了一层薄的金(Au)膜，SEM图像显示Au能够汇聚形成纳米颗粒，从而调控β-Ga₂O₃纳米线的生长。SEM图像还揭示了纳米线的直径和长度依赖于生长温度。与在900°C和1000°C下生长的纳米线相比，1100°C温度下生长的纳米线具有最小的直径和均匀的长度。这是由于在生长过程中气-液-固(VLS)和气-固(VS)两种机制的组合与竞争作用所致。高温为Ga和O原子提供了足够的能量，使其沿着一维轴向根据VLS机制生长。然而，低温则限制了原子在纳米线界面的移动，增强了侧壁的合并，符合VS机制。X射线衍射(XRD)图谱和精修结果表明，生长的样品具有高晶体质量，并存在内在氧空位。光致发光(PL)光谱经过高斯拟合分析，结果显示发射峰源于内在氧空位和Ga-O空位对，与XRD精修结果一致。将β-Ga₂O₃纳米线涂覆在叉指电极上，并对其紫外光和氧气的响应进行了研究。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.09.182