【器件论文】用于RF和线性应用的无结 (JL) 高 K 垂直叠层氧化物 (VSO) Ga₂O₃-FinFET 性能研究

        近期，由印度VIT-AP大学的研究团队在学术期刊Microsystem Technologies发布了一篇名为Performance investigation of junction-less (JL) high-K vertical stack oxide (VSO) Ga₂O₃-FinFET for RF and linear applications（用于RF和线性应用的无结 (JL) 高 K 垂直叠层氧化物 (VSO) Ga₂O₃-FinFET 性能研究）的文章。

摘要

        本文研究了基于 Ga₂O₃ 的纳米通道无结 FinFET 在高频应用中的性能。栅氧化物由高K氧化物材料的垂直叠层组成，包括 HfO₂、SiO₂ 和 Al₂O₃。提出的无结垂直叠层氧化物 Ga₂O₃-FinFET (JL-VSO-Ga₂O₃-FinFET)的器件性能通过不同鳍宽度和环境温度范围进行分析。该器件有效影响其电气特性，使其适用于射频和线性应用。半导体材料对温度条件高度敏感，这影响了器件的模拟/射频参数。本文通过实施介电材料工程方法和温度变化，全面分析了基于 Ga₂O₃ 的纳米通道无结 FinFET 器件。此外，本文通过变化温度和鳍宽度研究了器件参数，如漏电流(I_d)、跨导(g_m)、截止频率(F_T)、栅电容和输出电导。与传统硅基 FinFET 器件相比，提出的 JL-VSO-Ga₂O₃-FinFET 器件表现出更好的性能，截止频率提高了 9.56 %，跨导提高了 13.28 %，C_gd 降低了 20.96 %，因此该器件非常适合模拟和射频应用。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s00542-024-05784-y