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【器件论文】基于各种衬底上具有纳米柱状结构的 AlN/a-Ga₂O₃ 异质结的自供电日盲光电探测器

日期:2024-12-06阅读:185

        近期,由深圳大学的研究团队在学术期刊CrystEngComm发布了一篇名为Self-powered solar-blind photodetectors based on AlN/a-Ga2O3 heterojunction with nanocolumnar structure on various substrates(基于各种衬底上具有纳米柱状结构的 AlN/a-Ga2O3 异质结的自供电日盲光电探测器)的文章。

摘要

        为了实现日盲紫外线检测,本文制备了 AlN/非晶 Ga2O异质结光探测器。研究表明,在原生衬底上的光探测器在 20 V 偏压下的响应度和探测度比在异质从衬底上的分别提高了 150 % 和 21.8 %,分别达到了 8.31 A·W-1 和3.24 × 1014 Jones。内建电场使得该探测器无需外部电源即可实现自供电紫外线检测。纳米柱状 AlN 结构的引入显著提高了光探测器的性能,使光电流与暗电流的比值和在 0 V 偏压下的响应度分别达到 2.11 × 107 和 9.17 mA·W-1。制备的光探测器表现出自供电和高灵敏度的紫外线检测能力。

 

原文链接:

https://doi.org/10.1039/D4CE00826J