【外延论文】热退火对 Ga₂O₃/GaAs:Cr 异质结构特性的影响

        近期，由俄罗斯托木斯克国立大学的研究团队在学术期刊Technical Physics发布了一篇名为Effect of Thermal Annealing on Properties Ga₂O₃/GaAs:Cr Heterostructures（热退火对 Ga₂O₃/GaAs:Cr 异质结构特性的影响）的文章。

摘要

        本文介绍了 Ga₂O₃/GaAs:Cr 异质结构对长波和紫外线（λ = 254 nm）辐射的敏感性数据。样品是通过射频磁控溅射在未加热的 GaAs:Cr 衬底上形成氧化镓薄膜而获得的。带有 Ga₂O₃ 薄膜的砷化镓板被分为两部分：一半未退火，另一半在 500 °C 的氩气中退火 30 分钟。无论是否经过热处理，所研究的结构都显示出光伏效应，并能以自主模式运行。研究表明，只有在对氧化镓薄膜进行热退火处理后，样品才会对长波辐射产生明显的灵敏性。这种紫外线辐射探测器的响应和恢复时间不超过 1 秒。

原文链接：

https://doi.org/10.1134/S106378422406015X