【国际论文】伪源极门控β-氧化镓 MOSFET

        近期，由阿卜杜拉国王科技大学的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为Pseudo-source gated beta-gallium oxide MOSFET （伪源极门控β-氧化镓 MOSFET）的文章。

摘要

        本研究展示了伪源极门控β-氧化镓（β-Ga₂O₃）金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)。所提出的伪源极门控晶体管（伪 SGT）架构具有一个薄（约 11 nm）的沟槽式通道设计，有效模拟了传统 SGT 的特性，同时不显著降低通态电流。制造的器件表现出显著的本征增益为 10⁴，低输出导纳为 10⁻⁸ S/mm，跨导为 10⁻³ S/mm，漏极饱和电压约为 1.5 V，同时维持了 1.3 mA/mm 的漏极电流。这些性能指标的提升极大的拓展了 β-Ga₂O₃ MOSFETs 在开发氧化镓单片电源集成电路方面的潜力。

图 1. (a) 制造器件的扫描电子显微镜（SEM）图像。(b) 突出显示栅极区域尺寸的放大图像。(c) 制造器件的横截面示意图。

图 2. TLM 结构测量结果。(a) 显示欧姆接触的 I-V 特性和 (b) 根据电阻与间距关系图计算出的 RC。

DOI：

doi.org/10.1063/5.0231763