【国内新闻】喜报｜理学院郭道友特聘教授团队成果荣获浙江省自然科学奖三等奖

        据悉，氧化镓是超宽禁带氧化物半导体的典型代表，在超高压大功率器件、日盲深紫外光电探测等事关国防安全和国民经济发展的领域有着重要的应用前景。“浙理工氧化镓”团队十多年来专攻氧化镓材料与器件的研究，在材料生长、晶相/物性调控、表界面/能带工程、金半接触、光电及信息存储器件的结构设计与构筑等方面获得了多项重要的突破和进展。

        主要成绩包括：

        发展了氧化镓外延薄膜/纳米材料生长新方法，掌握了晶相/物性调控关键技术，发现了光电化学光电流双极性行为并阐明了物理机制；开拓了阳离子价变抑制氧化镓材料氧空位电活性的新技术，揭示了氧空位表面态对金属/半导体接触至关重要；率先研制了多款氧化镓基自供电日盲紫外探测器，其中 GaN/Ga₂O₃ pn结探测器在 0 V下的光响应度创造并保持记录。