【其他论文】取代 Si⁴⁺ 对混合硅 Ga₂O₃ 化合物结构和介电特性的影响

        近期，由 PDPM 印度信息技术、设计和制造学院的研究团队在学术期刊 Bulletin of Materials Science 发布了一篇名为 Impact of Si⁴⁺ substitution on structural and dielectric properties of Si-mixed Ga₂O₃ compounds（取代 Si⁴⁺ 对混合硅 Ga₂O₃ 化合物结构和介电特性的影响）的文章。

摘要

        本研究详细探讨了 Si⁴⁺ 掺杂对 Ga₂O₃ 粉末的结构和介电特性的影响。采用高温固态化学反应法制备了纯和 Si 混合 Ga₂O₃ 化合物。通过 X 射线衍射（XRD）模式确认了 Ga₂O₃ 的单斜结构。场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示出颗粒的聚集现象。所有制备的样品颗粒尺寸在 0.191 至 0.202 µm 范围内。Ga 2p 的 X 射线光电子能谱（XPS）分析显示，相较于金属 Ga，存在正位移，这归因于相邻离子电子云之间的相互作用。XPS 分析还表明，样品中的 Ga 以其最高化学价态（Ga³⁺）存在。研究了合成样品在室温下（RT）的介电常数、交流电导率和介电损失的频率依赖性。结果显示，室温下，随着 Si 浓度的增加，介电常数也随之上升。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s12034-024-03336-8