【外延论文】通过雾化学气相沉积在 (-201) β-Ga₂O₃ 上异质外延生长 NiO 薄膜

         近期，由日本京都工艺纤维大学的研究团队在学术期刊 Physica Status Solidi (B) 发布了一篇名为 Heteroepitaxial Growth of NiO Thin Films on (-201) β-Ga₂O₃ by Mist Chemical Vapor Deposition（通过雾化学气相沉积在 (-201) β-Ga₂O₃ 上异质外延生长NiO薄膜）的文章。

摘要

        研究了通过雾化学气相沉积（CVD）在 (-201)  β-Ga₂O₃ 上生长 NiO 外延薄膜，以及载气选择（N₂ 和 O₂）和衬底预退火处理对生长薄膜的结构和形态特性的影响。X 射线衍射分析显示，成功地实现了具有取向关系 (111) NiO [0-11] || (-201)  β-Ga₂O₃ [010] 的外延生长。作为载气，O₂ 导致单畴NiO 薄膜的形成，而 N₂ 导致旋转畴的形成。原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜证实了 NiO 薄膜的横向生长，从而强调了在氧气气氛中进行 1200 °C 的衬底预退火的必要性，以获得平坦、高质量的薄膜。结果表明，mist CVD 方法结合适当的衬底制备和载气选择对于生长高质量的 NiO/β-Ga₂O₃ 异质结构是有效的。这一成就为开发宽禁带 p-n 异质结开辟了新的可能性，有可能推动高功率氧化物基电子器件的发展。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/pssb.202400442