【器件论文】增强型背照式 Ga₂O₃ 基日盲紫外光电探测器

        近期，由兰州理工大学的研究团队在学术期刊 Science China Technological Sciences 发布了一篇名为Enhanced back-illuminated Ga₂O₃-based solar-blind ultraviolet photodetectors（增强型背照式 Ga₂O₃ 基日盲紫外光电探测器）的文章。

摘要

        Ga₂O₃ 由于其超宽带隙和高热化学稳定性，是一种很有前途的深紫外 (DUV) 光电探测器材料。然而，由于其相对较低的响应度，Ga₂O₃ 基光电探测器仍难以满足实际应用的要求。在这里，我们构建了一种通过背照式实现的高性能 Ga₂O₃ 光电探测器。利用高结晶度外延生长的 Ga₂O₃ 作为 DUV 吸收层，双面抛光的 Al₂O₃ 衬底作为光子注入的透明窗口，该器件在背照式模式下表现出更高的 DUV 光响应和更快的响应速度比前照式模式。因此，我们的实验结果为设计和制造高性能 Ga₂O₃ 光电探测器提供了一种新的策略。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s11431-024-2718-y