【外延论文】锌掺杂 β 相 Ga₂O₃ 的局部结构

        近期，由日本九州大学的研究团队在学术期刊 The Journal of Physical Chemistry C 发布了一篇名为Local Structure of Zn Dopant in β-Phase Ga₂O₃（锌掺杂 β 相 Ga₂O₃ 的局部结构）的文章。

摘要

        Ga₂O₃ 是一种很有前途的超宽带隙半导体，适用于高电压和高功率应用，但实现可靠的 p 型电导率仍然是一个重大挑战。我们利用卤化物气相外延生长合成了掺 Zn 的 β-相 Ga₂O₃ 外延层，其可以作为合适的受体。通过 X 射线衍射证实，薄膜样品具有 1.7 × 10¹⁹ 和 2.5 × 10²⁰ ions/cm³ 的 Zn 掺杂浓度，为单相单斜 β-Ga₂O₃。为了确定 Zn 离子在 β-Ga₂O₃ 晶格中的位置，我们结合第一原理密度泛函理论计算，采用了 X 射线近边吸收结构 (XANES) 技术。将 β-Ga₂O₃ 中四面体和八面体 Ga 位点的 Zn 取代以及 ZnGa₂O₄ 尖晶石沉淀的理论 XANES 谱与实验数据进行了比较。实验得到的 Zn L₃ 边缘的 XANES 谱与占据四面体配位位点的阳离子位置的 Zn 离子的理论谱得到很好地吻合。

原文链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.4c05657