【其他论文】受深紫外激光辐照损伤的宽带隙半导体的光致发光和拉曼光谱分析

        近期，由美国华盛顿州立大学的研究团队在学术期刊 Optical Materials Express 发布了一篇名为 Photoluminescence and Raman spectroscopy of wide bandgap semiconductors damaged by deep-UV laser irradiation（受深紫外激光辐照损伤的宽带隙半导体的光致发光和拉曼光谱分析）的文章。

摘要

        研究了脉冲聚焦深紫外 (4.66 eV) 激光对宽带隙和超宽带隙半导体的影响，并通过光致发光 (PL) 和拉曼光谱进行了研究。研究了三种半导体单晶：碳化硅 (6H-SiC)、氮化镓 (GaN) 和氧化镓 (β-Ga₂O₃)。在激光损伤过程中观察到来自中性 Ga 或 Si 的原子发射线。对于所有三种半导体，损伤材料的 PL 映射（3.49 eV 激发）显示出 2.6-2.8 eV 范围内的可见发射带，归因于点缺陷。拉曼光谱（2.33 eV 激发）显示损伤区域的拉曼峰强度降低，以及 1.9-2.1 eV 附近的弱 PL 带。

原文链接：

https://doi.org/10.6084/m9.figshare.c.7516827.v2