【其他论文】κ-Ga₂O₃ 微单晶的缺陷结构和发光特性

        近期，由俄罗斯圣彼得堡国立大学的研究团队在学术期刊 Physica status solidi (b) – basic solid state physics 发布了一篇名为 Defect Structure and Luminescence of κ-Ga₂O₃ Micro-Monocrystals（κ-Ga₂O₃ 微单晶的缺陷结构和发光特性）的文章。

摘要

        在纤锌矿型半导体衬底上生长的宽带隙正交多晶氧化镓（κ-Ga₂O₃）具有高自发极化，被认为可以产生适用于各种应用的高迁移率电子通道。这种 κ-Ga₂O₃ 层由六边形微棱柱组成，其特性会影响横向电导。在这项研究中，利用透射和扫描电子显微镜技术（STEM、HR-TEM），包括阴极发光技术（CL-SEM），研究了单个“悬浮”薄微棱镜中扩展缺陷的结构和重组特性。结果表明，微棱镜由六个等化的正方晶域组成，沿 <110> 方向以孪晶域边界 (TDB) 为界。孪晶域包含沿 [010] 方向延伸的高密度反相界（APB）平行阵列。反相边界具有阶梯或中断，并可形成双相对移位的空间分离层（反相边界偶极子）。大部分长度上的 TDB 不连贯，是 APB 终止的边界。全色 CL 图显示 APB 强度增强或减弱，但没有明显的光谱变化。CL 强度的增强被认为是由于薄膜中的 APB 对主电子束的过量散射导致电子-空穴生成增强，而事实上，APB 的非辐射重组活性也有所增强。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/pssb.202400435