【器件论文】通过双Fin通道和氧化物埋层提升 Ga₂O₃ FinFET 的性能

        由印度德里大学的研究团队在学术期刊 Micro and Nanostructures 发布了一篇名为 Enhancing the Performance of Ga₂O₃ FinFETs through Double Fin Channels and Buried Oxide（通过双Fin通道和氧化物埋层提升 Ga₂O₃ FinFET 的性能）的文章。

摘要

        在这项研究中，双Fin通道和埋氧化物被应用于 Ga₂O₃ FinFET。进行了详尽的模拟以研究所提出器件的性能，并将其与仅具有双鳍通道而没有埋氧化物的器件以及传统 FinFET 进行了比较。研究了各种器件特性，如输出和传输特性等，并获得了几个性能指标（FoM），如跨导、寄生电容、增益带宽积、固有延迟等。此外，还设计了使用所有考虑中的器件的逆变器。已经证明，与使用传统器件的逆变器相比，使用所提出的器件的逆变器在噪声裕度、瞬态响应等关键指标方面表现出显着的改进。当前研究还为设计用于超高频应用的各种高性能电路奠定了基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.208014