【器件论文】边界陷阱增强型 Ga₂O₃ 非易失性光电存储器

        由松山湖材料实验室的研究团队在学术期刊 Nano Letters 发布了一篇名为 Border Trap-Enhanced Ga₂O₃ Nonvolatile Optoelectronic Memory（边界陷阱增强型 Ga₂O₃ 非易失性光电存储器）的文章。

摘要

        非易失性深紫外光电子存储器 (DUVOEM) 在网络物理系统中具有巨大的潜力，提供高存储密度、快速转换速度和强大的数据安全。然而，当前的数据保持时间通常仅限于毫秒或小时，大多低于作为非易失性存储器的预期年限。在这项工作中，我们提出了一种 β-Ga₂O₃/SiO₂/Si 薄膜晶体管 DUVOEM，通过在边界陷阱中捕获和释放光生空穴来增强数据存储能力。具体来说，β-Ga₂O₃ 中的光生空穴将通过 SiO₂ 隧道并被这些缺陷捕获。创新的是，利用了从边界陷阱释放空穴的更慢过程来开发出色的非易失性光电子存储器。快速写入和擦除速度、长时间保持（≥10 年）和高鲁棒性证明了其实际应用价值。这项研究不仅为非易失性 DUVOEM 提供了一种新颖的策略，而且还提供了一个用硅技术中的常见缺陷功能化 β-Ga₂O₃ 存储器的实例。

原文链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c04235