【器件论文】基于 Ga₂O₃/Nb:SrTiO₃ 异质结的界面忆阻器的突触特性

        近期，由重庆大学的研究团队在学术期刊 The Journal of Physical Chemistry Letters 发布了一篇名为 Synaptic Properties of an Interfacial Memristor Based on a Ga₂O₃/Nb:SrTiO₃ Heterojunction（基于 Ga₂O₃/Nb:SrTiO₃ 异质结的界面忆阻器的突触特性）的文章。

摘要

        由于其模仿生物突触过程的能力，忆阻器已被广泛研究用于未来的神经形态计算硬件应用。在此，我们报告了一种基于 Ga₂O₃/Nb:SrTiO₃ 异质结的界面忆阻器，它表现出稳定的双极电阻开关行为、长保持时间和高开关比。Au/Ga₂O₃/Nb:SrTiO₃/In 忆阻器的电导可以在电压扫描模式以及正负脉冲电压刺激下逐渐调制，从而实现模拟生物突触的长期增强/抑制特性。基于所制备的忆阻器的神经网络通过使用 NeuroSimV3.0 平台构建，以 92.78% 的识别精度识别手写图片数据集。我们的工作表明，Ga₂O₃/Nb:SrTiO₃ 异质结忆阻器在神经形态计算系统中具有巨大的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.4c02548