【外延论文】同步辐射硬 X 射线光电子能谱观测到的分子束外延生长的高掺杂 Ge:β-Ga₂O₃ 中的锗表面偏析

        近期，由法国巴黎萨克雷大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Germanium surface segregation in highly doped Ge:β-Ga₂O₃ grown by molecular beam epitaxy observed by synchrotron radiation hard x-ray photoelectron spectroscopy（同步辐射硬 X 射线光电子能谱观测到的分子束外延生长的高掺杂 Ge:β-Ga₂O₃ 中的锗表面偏析）的文章。

摘要

        我们研究了通过分子束外延生长的高锗掺杂氧化镓（2.5 × 10²⁰ cm⁻³ 额定掺杂水平）表面上的锗偏析。我们通过硬 X 射线光电子能谱和标准实验室光电子能谱探测了掺杂剂浓度随深度的变化。我们发现，在顶部 2 nm 内存在锗偏析，其浓度是标称掺杂水平的三倍。这种增加的掺杂剂浓度导致表面电导率提高三倍。结果表明，这是一种适用于功率电子应用可靠的 delta 掺杂方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0220212