【器件论文】用于大功率和太赫兹电子器件的新兴 III-氮化物/β-Ga₂O₃ 纳米 HEMT 器件结构工程与建模

        近期，由印度-国立理工学院 Silchar 的研究团队在学术期刊 Physica Scripta 发布了一篇名为 Device structural engineering and modelling of emerging III-nitride/β-Ga₂O₃ nano-HEMT for high-power and THz electronics（用于大功率和太赫兹电子器件的新兴 III-氮化物/β-Ga₂O₃ 纳米 HEMT 器件结构工程与建模）的文章。

摘要

        III-氮化物，如氮化镓 (GaN) 和氮化铝 (AlN)，具有宽带隙、高击穿电压和高热导率，是高频和高功率应用的有吸引力的选择。III-氮化物基 HEMT 的另一个优点是其高电流密度、低噪声系数和更高的电子迁移率，这使得高效的射频信号放大成为可能。在这项研究工作中，采用极化诱导梯度缓冲技术和改进的晶格匹配 β-Ga₂O₃ 衬底来最小化 III-氮化物纳米 HEMT 中与缓冲层相关的问题，例如减少缓冲层漏电流损耗。缓冲区中的极化诱导掺杂可以显着降低缓冲层漏电流，提高击穿电压和 RF 特性，并向上弯曲导带，改善二维电子气 (2DEG) 的限制。对 HEMT 的梯度缓冲技术和具有正常缓冲层的 HEMT 进行了详细比较。结果表明，所建议的 HEMT 在高达 Tera (10¹²) 赫兹的频率范围内表现出更好的 DC 和 RF 特性。所提出的 HEMT 的改进特性使其成为新兴技术和需要高效信号处理的尖端通信系统的可行解决方案。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad8991