【器件论文】基于通过磁控溅射制造的 β-Ga₂O₃/p-GaN p-n 异质结的自供电紫外线光电探测器

        由河南科技大学的研究团队在学术期刊 Physica B: Condensed Matter 发布了一篇名为 A self-powered UV photodetector based on a β-Ga₂O₃/p-GaN p-n heterojunction fabricated via magnetron sputtering（基于通过磁控溅射制造的 β-Ga₂O₃/p-GaN p-n 异质结的自供电紫外线光电探测器）的文章。

摘要

        近年来，自供电紫外光电探测器在军事和民用领域的需求不断增长，受到了全球的广泛关注。在本研究中，采用磁控溅射法成功生长了具有可控质量的 β-Ga₂O₃ 薄膜。此外，成功制备了基于 β-Ga₂O₃/p-GaN 异质结的自供电紫外光电探测器。该光电探测器在 254 nm 和 365 nm 照射下分别表现出 R₂₅₄=0.11 A/W 和 R₃₆₅=0.04 A/W 的响应度，以及零偏压下的快速响应时间（上升/下降时间为 0.74/0.5 s 和 0.73/0.24 s）。它在 0 V 偏压下表现出优异的开关特性，并在不同施加偏压下表现出不同的光电流增益。这项工作验证了 β-Ga₂O₃ 薄膜的控制生长方法，并为开发具有低暗电流和高稳定性的自供电紫外探测器提供了一种有效方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.416685