【外延论文】利用 mist-CVD 法在（-201）衬底上生长厚 β-Ga₂O₃ 同质外延薄膜

        近期，由俄罗斯 Ioffe Institute 的研究团队在学术期刊 Materials Today Communications 发布了一篇名为 Thick β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown on (-201) substrate by mist-CVD（利用 mist-CVD 法在（-201）衬底上生长厚 β-Ga₂O₃ 同质外延薄膜）的文章。

摘要

        首次利用乙酰丙酮酸镓前驱体通过雾化学气相沉积 (mist-CVD) 在 (-201) 商用衬底上生长了厚 β-Ga₂O₃ 同质外延薄膜。生长速率达到了约 2 μm/h，这是其他任何已知外延技术都无法达到的。由于低应力界面，该层具有恒定的厚度和合理的结构质量。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2024.110970