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【国内新闻】智慧碰撞：学术交流加速氧化镓材料突破
日期：2024-12-30阅读：603
复旦大学刘文军研究员应邀来河南师范大学电子与电气工程学院讲学
应河南师范大学电子与电气工程学院邀请，复旦大学刘文军研究员于 12 月 15 日下午 14 点在物理北楼 C-208 举行题为《新型氧化镓功率二极管研究进展》的专题学术讲座。学院负责人、师生代表 50 余人参加讲座。讲座由电子与电气工程学院副院长王芳主持。
刘文军研究员首先结合自己团队成果介绍了构建 NiO/β-Ga2O3 p-n 异质结二极管方法；其次讲解了制备了 p-NiO/n-Ga2O3 沟槽型 MOS 异质结二极管过程；最后总结了氧化镓研究中存在的问题并予以未来展望。
讲座结束后，青年教师和研究生就讲座内容及该研究方向热点问题向刘文军研究员进行了提问。刘文军研究员对所提问题均做了详细解答，并鼓励青年教师和研究生在本领域进行深入研究。
刘文军，复旦大学微电子学院研究员，博士生导师，主要从事宽禁带氧化镓功率器件、工艺及 CMOS 后端工艺兼容存储器件及可靠性等研究。2009 至 2015 年先后在新加坡南洋理工大学和日本东京大学（JSPS研究员）从事半导体器件与工艺、失效分析等工作。获科技部重点研发、自然科学基金面上、上海市集成电路专项、第四代半导体科技创新专项等省部级项目多项。共发表论文 100 余篇，其中 IEEE IEDM/IRPS 6 篇，EDL/TED 30 篇，引用 > 2700 次，申请专利 20 余项。目前，担任 Nano Lett 等期刊审稿，并任国际期刊 Nanoscale Research Letters、Nanomaterials 客座编辑；编写专著《薄膜晶体管微电子学》；获上海市“浦江人才”计划，复旦大学“钟杨式”创新团队骨干成员。
瑞典林雪平大学 Daniela Gogova 教授到南京邮电大学集成电路科学与工程学院作学术交流
11 月 12 日下午，瑞典林雪平大学首席研究员、保加利亚科学院科学家 Daniela Gogova 教授应南京邮电大学唐为华教授邀请，在南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）浦口一号办公楼 310 会议室作题为《Developing next generation high-power Ga2O3 material》的学术报告。报告由唐为华教授主持，学院相关研究领域的教师和研究生参加。
Gogova 教授从超宽禁带半导体氧化镓的材料优势、应用前景出发，为大家剖析了近年来氧化镓成为世界性研究热点的原因；并基于自己的研究成果，介绍了其首创的 Hot-wall MOCVD 技术，分享了该技术在制备高质量氧化镓同质/异质外延材料方面的先进性。学术报告过程中， Gogova 教授与参会的老师和同学进行了热烈讨论。随后，IC-GAO 课题组的博士研究生以学术报告的形式展示了自己的研究进展，Gogova 教授对各位博士生的研究工作进行了点评并高度称赞其研究的重要性。
本次学术交流持续了近三个小时，现场学术氛围浓厚，不仅为学院师生提供了宝贵的外语交流机会，也拓展了大家在氧化镓领域的国际性视野和思维。
