【器件论文】基于热氧化 Ga 缓冲层的高性能 Ga₂O₃ 日盲光电探测器

        近期，由上海大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Materials & Interfaces 发布了一篇名为 High-Performance Ga₂O₃ Solar-Blind Photodetector Based on Thermal Oxidized Ga Buffer-Layer（基于热氧化 Ga 缓冲层的高性能 Ga₂O₃ 日盲光电探测器）的文章。

摘要

        高性能 Ga₂O₃ 日盲光电探测器由于其选择性日盲紫外灵敏度而对于应用至关重要。Ga₂O₃ 薄膜的质量对光电探测器的性能有重大影响。本研究提出了一种通过引入自然梯度缓冲层来提高 Ga₂O₃ 薄膜质量的创新方法，该缓冲层通过氧化金属 Ga 膜形成，并通过适应晶格失配和减少缺陷来显着提高界面稳定性。使用 UV-vis（紫外-可见）光谱、AFM（原子力显微镜）、PL（光致发光光谱）、TEM（透射电子显微镜）和 XPS（X 射线光电子能谱）对 Ga₂O₃ 薄膜的结构和成分特性进行了全面分析。由这些薄膜制成的光电探测器表现出 99.8 mA/W 的响应度和 1.17×10³ 的日盲 UV/UV 比，与直接沉积的薄膜相比有显着改进。这项研究强调了天然缓冲层在提高 Ga₂O₃ 基日盲紫外探测器性能方面的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsami.4c15345