【器件论文】Ga₂O₃ 光电探测器的结构工程： 综述

        近期，由中国科学技术大学的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为 Structure Engineering of Ga₂O₃ photodetectors: A Review（Ga₂O₃ 光电探测器的结构工程：综述）的文章。

摘要

        由于其在关键领域的多样化应用，深紫外 (DUV) 光电探测器在现代半导体行业中发挥着重要作用。宽带隙半导体 Ga₂O₃ 被认为是高灵敏度 DUV 光电探测器的一种很有前途的材料。然而，Ga₂O₃ DUV 光电探测器的高响应度总是以牺牲其响应速度为代价。用于高质量 Ga₂O₃ 材料的材料工程可以优化光响应性能，但代价是更复杂的过程。结构工程可以基于各种物理机制有效地提高 Ga₂O₃ 光电探测器的性能。由于调制概率的增加，结构工程的部分方案甚至减轻了对高性能 DUV 光电探测器的高质量 Ga₂O₃ 材料的严格要求。本文回顾了通过结构工程优化 Ga₂O₃ 光电探测器性能的最新努力。首先，讨论了基于 Ga₂O₃ 纳米结构和具有纳米尺寸效应的超表面结构的光电探测器。此外，基于肖特基结、异质结、相结等分类，总结了 Ga₂O₃ 光电探测器的结结构，有效促进了耗尽区中的载流子分离。此外， Ga₂O₃ 雪崩光电二极管作为一种具有超高增益和响应度的有前景的原型，受到了关注。此外，详细分析了基于场效应光晶体管的 Ga₂O₃ 光电探测器的可扩展性和低功耗性能。此外，还介绍了具有额外可调维度的 Ga₂O₃ 光电探测器的辅助场配置。最后，我们总结了这篇综述，并从我们的角度讨论了 Ga₂O₃ DUV 光电探测器的主要挑战。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad902f