【外延论文】用于氧化镓沉积的Mist CVD技术：综述

        由南京邮电大学的研究团队在学术期刊 Materials Today Physics 发布了一篇名为 Mist CVD technology for gallium oxide deposition: A review（用于氧化镓沉积的Mist CVD技术：综述）的文章。

摘要

        雾化学气相沉积 (mist CVD) 技术起源于早期的金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 技术。通过 mist CVD，通过在常压和相对低温条件下超声雾化低浓度前驱体溶液来沉积高质量的氧化物薄膜。mist CVD首次报道于 1990 年，2008 年，Shinohara 等人将 mist CVD 应用于氧化镓(Ga₂O₃)外延薄膜的生长。作为一种超宽带隙(UWBG)半导体，Ga₂O₃ 具有巨大的潜力应用于电力系统和光电器件，近年来引起了广泛关注并成为研究热点。已经探索了各种技术来生长 Ga₂O₃ 薄膜。其中，mist CVD 以其相对便宜的设备、更简单的操作和具有竞争力的成本优势而著称，成为一种很有前途的 Ga₂O₃ 薄膜生长方法。使用 mist CVD，已经成功生产了五种晶相 (α、β、γ、ε 和 δ) 的 Ga₂O₃ 薄膜，并且可以通过掺杂和合金工程轻松调整 Ga₂O₃ 薄膜的性能。此外，已经使用 mist CVD 生长的 Ga₂O₃ 薄膜制造了半导体器件。然而，在掺杂均匀性、晶相纯度和稳定性方面仍然存在挑战。本文回顾了 mist CVD 在 Ga₂O₃ 沉积方面的进展，涵盖了 mist CVD 设备设计、Ga₂O₃ 晶相控制、掺杂和合金调制以及器件制造。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2024.101604