【器件论文】设计带介质柱的 Ga₂O₃ 沟槽栅 MOSFET 器件

        由华南师范大学的研究团队在学术期刊 Semiconductor Science and Technology 发布了一篇名为 Design of Ga₂O₃ Trench Gate MOSFET Devices with Dielectric Pillars（设计带介质柱的 Ga₂O₃ 沟槽栅 MOSFET 器件）的文章。

摘要

        在这项研究中，提出了一种具有高击穿电压 (BV) 的 β-Ga₂O₃ U 型沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (UMOSFET)。通过 TCAD 仿真，对正向和反向电特性进行了全面研究。建议在电流阻挡层 (CBL) 内集成陷阱以实现有效的电流阻挡。此外，为了优化 BV，在漂移层两侧引入氧化物介质柱以增强击穿期间的电位分布。还研究了器件在不同温度下的正向和反向电特性。此外，通过对漂移层不同掺杂浓度、CBL 层厚度和陷阱浓度的仿真优化，实现了显着的成就，包括 865.2 V 的高 BV、2.587 V 的低阈值电压和 19.2 mΩ·cm² 的低特定导通电阻。这项研究提出了一种新颖的结构设计，以促进 Ga₂O₃ 电子器件的潜在应用和发展。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad904b