【器件论文】基于热氧化镓法生长的微米厚 β-Ga₂O₃ 薄膜的高性能日盲成像光电探测器

        由东北师范大学的研究团队在学术期刊 Journal of Materials Chemistry C 发布了一篇名为 High-performance solar-blind imaging photodetectors based on micrometer-thick β-Ga₂O₃ films grown by thermal oxidation of gallium（基于热氧化镓法生长的微米厚 β-Ga₂O₃ 薄膜的高性能日盲成像光电探测器）的文章。

摘要

        几乎所有报道的高性能 β-Ga₂O₃ 薄膜都是通过分子束外延、金属有机化学气相沉积和脉冲激光沉积在非常高成本和低产率下生长的。首次报道了一种通过镓的原位热氧化制备微米级厚 Ga₂O₃ 薄膜的方法。结果表明，典型的 Ga₂O₃ 薄膜厚度超过 2 μm，典型晶粒尺寸达到微米级，且为高纯度单相 β-Ga₂O₃。基于厚 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电探测器具有超过 1.7 A W⁻¹ 的响应度、超过 10³ 的光暗电流比、超过 1.5 × 10¹³ cm Hz^1/2 W⁻¹ 的探测率、自供电特性和良好的日盲紫外成像性能。分析了我们器件的高增益和自供电特性的潜在机制。我们的研究结果为制备高质量的厚氧化镓薄膜和日盲紫外光电探测器提供了一种方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D4TC04116J