【衬底论文】离子注入 β-Ga₂O₃ 中的缺陷演化和氮掺杂

        近期，由挪威奥斯陆大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Defect evolution and nitrogen incorporation in ion-implanted β-Ga₂O₃ （离子注入 β-Ga₂O₃ 中的缺陷演化和氮掺杂）的文章。

摘要

        氮在 Ga₂O₃ 基器件制造中起着重要作用，因为它表现出深受体行为，可用作补偿杂质。在目前的工作中，我们通过离子注入不同剂量率的方法将 N 引入单斜 β-Ga₂O₃ 单晶体中。通过结合 Rutherford 背散射/通道谱和 X 射线衍射与光致发光光谱，研究了注入样品的结构和光学性质的热演化。我们证明了 N 注入 β-Ga₂O₃ 中的晶体无序是离子通量的强函数，即使在室温注入的情况下也是如此。与其他注入物种不同，N 的缺陷退火动力学表现出明显的两阶段行为，其中低温阶段 (<400°C) 的特征是快速缺陷退火，而辐射缺陷在高温 (>400°C) 下表现出非常缓慢的演化。这些趋势在掺入 Ga₂O₃ 晶格的注入 N 原子诱导的无序稳定性的框架内进行了讨论。获得的结果可用于更好地理解 N 与本征缺陷之间的相互作用，并推动 β-Ga₂O₃ 基电子器件的发展。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0239899