【衬底论文】定量低能电子衍射研究掺锡 β-Ga₂O₃（010）p（1×1）的表面结构

        近期，由巴西雅塔伊联邦大学的研究团队在学术期刊 Surface Science 发布了一篇名为 Surface structure of Sn doped β-Ga₂O₃(010) p(1×1) studied by quantitative Low Energy Electron Diffraction（定量低能电子衍射研究掺锡 β-Ga₂O₃（010）p（1×1）的表面结构）的文章。

摘要

        研究团队利用定量低能电子衍射(LEED)和 X 射线光电子能谱(XPS)研究了单晶 β-Ga₂O₃ (010)的表面结构。XPS 测量显示了典型的化学计量 Ga₂O₃ 的光谱，具有清洁的表面。LEED 始终显示出 p(1×1) 图案，无表面重建。对 41 个不同衍射点的定量 LEED I(V) 曲线进行了采集。实验 I(V) 曲线与前五层上的模拟结果进行比较。然后使用对所有衍射点获得的实验 LEED I(V) 曲线的最佳拟合来计算层间弛豫和原子褶皱。在最上面的 5 个原子层中发现了明显的原子褶皱和层间弛豫。由于褶皱，在最顶层表面产生了约 2 µC/cm² 的极化。结构结果与之前的密度泛函理论计算和实验 X 射线光电子衍射结果非常一致。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.susc.2024.122653