【器件论文】宽带隙半导体肖特基势垒二极管正向特性对低压电路静电放电的保护

        近期，由日本音羽电机工业的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 Electrostatic discharge protection of low-voltage circuits by forward characteristics of wide bandgap semiconductor Schottky barrier diodes（宽带隙半导体肖特基势垒二极管正向特性对低压电路静电放电的保护）的文章。

摘要

        作为保护低压（1-3 V）电路免受静电放电等干扰脉冲的组件，我们提出了利用宽带隙半导体肖特基势垒二极管（SBD）的正向特性。这一概念已通过 β-Ga₂O₃-SBD 验证，成功地将线路电压保持在 2.2~4.2 V，对于输入脉冲电压为 5~70 V，上升时间小于 1 ns。这表明它适用于保护纳秒级干扰脉冲。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad92eb