【外延论文】利用 MOCVD 技术生长的非晶氧化镓薄膜用于宽带紫外线吸收应用

        由香港科技大学（广州）的研究团队在学术期刊 Advanced Materials Technologies 发布了一篇名为 Amorphous GaOx Thin Films Grown by MOCVD for Broadband Ultraviolet Absorption Application（利用 MOCVD 技术生长的非晶氧化镓薄膜用于宽带紫外线吸收应用）的文章。

摘要

        氧化镓 (Ga₂O₃) 具有 4.3-5.4 eV 的宽带隙和可调特性，在功率电子、日盲光电探测器 (PD) 和透明导电氧化物等应用中具有巨大潜力，特别是在 230-280 nm 范围内对日盲探测器有效。相比之下，非晶氧化镓 (a-GaOx) 由于其简单的合成方法，在紫外 PD 和柔性 X 射线探测器方面受到了关注。然而，其有效利用需要更深入地了解其化学、结构和光学性质。在这项研究中，使用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在降低的氧气流速下合成了 a-GaOx。X 射线光电子能谱显示，在高三甲基镓 (TMGa) 流速下，Ga₂O 可以构成薄膜的 30% 以上，与 Ga₂O₃ 共存，并表现出约 3.3 eV 的光学带隙。值得注意的是，由这种 a-GaOx 薄膜制成的金属-半导体-金属光电探测器显示出作为新型宽带紫外 (BUV) 吸收材料的潜力，有效覆盖 254 至 360 nm 范围。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/admt.202401215