【国际论文】α-Ga₂O₃ 中穿线位错的原子尺度观察

        近期，由英国思克莱德大学的研究团队在学术期刊 AIP Advances 发布了一篇名为 Atomic scale observation of threading dislocations in α-Ga₂O₃（α-Ga₂O₃ 中穿线位错的原子尺度观察）的文章。

摘要

        这项研究利用高分辨率透射电子显微镜对 α-Ga₂O₃ 中的线程位错进行了统计学上显著的调查。所有观察到的端面位错都表现出投影伯格斯矢量 b_e=1/3⟨-1100⟩，数据表明位错分为三类：完美混合 (b=1/3⟨-1101⟩) 位错和边缘 (b=⟨-1100⟩ 和 b=1/3⟨-1120⟩) 位错，它们会分解成 b=1/3⟨-1100⟩ 部分的组合。对位错核心区域的高分辨率分析表明，所有位错在观察阳离子位点时都表现出相似的 5 原子核心。这是对该材料系统的第一项此类调查，它将为未来的工作提供信息，例如了解 α-Ga₂O₃ 中位错的电子性质和其他外延刚玉结构材料。

DOI：

doi.org/10.1063/5.0235005