【国内论文】核工业西南物理研究院——用于高性能自供电紫外光检测的Si-implanted β-Ga₂O₃/CuGaO₂ p-n结

摘要

        由于其固有的日盲紫外检测优势，Ga₂O₃ 基紫外光电探测器近年来受到了广泛关注，在民用、医疗和环境监测领域具有广阔的应用前景。在此研究中，研究团队选择了 CuGaO₂ 作为 p 型材料，并利用射频反应磁控溅射系统进行制造。所得的 CuGaO₂/Ga₂O₃ 异质结表现出 II 型能带排列，这有助于在 10 V 偏压下实现 5 × 10⁴ 的显着光暗电流比。当用 254 nm 光照射时，记录到的峰值光响应度为 245 mA·W⁻¹，上升时间为 0.46 秒，衰减时间为 1.2 秒。通过 MOCVD 制备的晶体 Ga₂O₃ 通过硅离子注入展示了增强的迁移率，显示出对深紫外光的显着吸收。与 CuGaO₂ 的 II 型能带排列可解释这些出色的检测和整流能力。研究结果为大规模生产紫外光电探测器提供了一种经济高效的途径。

DOI：

doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.178022