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【国际论文】期刊特刊丨考察 Ga₂O₃ 垂直整流器中的击穿现象
日期：2025-02-18阅读：156
由美国佛罗里达大学的研究团队在学术期刊 Journal of Vacuum Science & Technology A 发布了一篇名为 Perspective on breakdown in Ga2O3 vertical rectifiers（考察 Ga2O3 垂直整流器中的击穿现象）的文章，该篇文章被期刊 Journal of Vacuum Science & Technology A 编辑评选为特色文章。
通讯作者介绍
本文通讯作者 Stephen Pearton
美国材料科学家、工程师和佛罗里达大学特聘教授。研究重点是先进材料在激光二极管、纳米材料应用和类似应用等领域的应用。
曾获得电气与电子工程师学会颁发的 J.J. Ebers 奖和美国物理学会颁发的材料物理学领域 David Adler 讲座奖。并且担任包括电气与电子工程师学会、美国物理学会、材料研究学会和美国真空学会等多个专业或学术团体的研究员。
文章摘要
虽然 Ga2O3 整流器显示出了良好的性能，但对于超过 10 kV 的少数器件击穿结果的重要性尚缺乏共识。本研究提供了一些关于如何实现这些结果以及需要更深入了解击穿机制、测试协议和晶圆处理以推进该技术领域的见解。
图 1. (a) Ga2O3 垂直整流器示意图，显示了击穿和非击穿场剖面，以及使用肖特基或异质结阳极的情况。(b) 显示了我们小组在击穿与漂移层厚度和掺杂的理论图上绘制的小面积击穿整流器的击穿实验点。实验点的结果分为三个厚度范围。
DOI：
doi.org/10.1116/6.0004146
