【外延论文】通过室温准分子激光退火和低毒湿蚀刻工艺进行区域选择性结晶，在宽带隙半导体 β-Ga₂O₃ 薄膜表面图案化

        由日本神奈川产业技术综合研究所（KISTEC）的研究团队在学术期刊 Applied Physics Express 发布了一篇名为 Surface patterning of wide-gap semiconducting β-Ga₂O₃ thin films by area selective crystallization via room-temperature excimer laser annealing and low toxic wet-etching processes（通过室温准分子激光退火和低毒湿蚀刻工艺进行区域选择性结晶，在宽带隙半导体 β-Ga₂O₃ 薄膜表面图案化）的文章。

摘要

        在本研究中，我们开发了一种完全室温且低毒的 β-Ga₂O₃ 表面图案化方法，该方法包括非晶态 Ga₂O₃ 薄膜的面选择性激光诱导结晶和酸溶液蚀刻工艺。通过室温沉积工艺和随后的 248 nm 深紫外波长的准分子激光退火，在 α-Al₂O₃ (0001) 衬底上获得了具有 ~70 nm 厚度的、高度 (−201) 取向的晶体 β-Ga₂O₃ 薄膜。总之，通过用 40% H₃PO₄ 水溶液进行超声波湿法蚀刻，获得了面选择性结晶的 β-Ga₂O₃ 微图案。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ada247