【器件论文】二级 Ga₂O₃ 电压倍增器的性能分析

        由美国纽约州立大学布法罗分校的研究团队在学术会议 2024 IEEE 11th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications(WiPDA) 发布了一篇名为 Performance Analysis of a two-stage Ga₂O₃ Voltage Multiplier（二级 Ga₂O₃ 电压倍增器的性能分析）的文章。

摘要

        Ga₂O₃ 器件有望在高压电力电子应用中取代 SiC 和 GaN 器件。虽然 Ga₂O₃ 器件的开发尚处于初期阶段，但对其应用的更清晰认识将在未来发挥重要作用。本文对商用 SiC 肖特基二极管和作者所在大学制造的、具有相似电气特性的 Ga₂O₃ 肖特基二极管进行了性能比较。这些二极管应用于两级半波 Cockcroft-Walton 电压倍增器 (VM)，并通过 SPICE 仿真进行了测试。从效率、输出纹波和电压增益等方面评估和比较了两种倍压器的性能。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/WiPDA62103.2024.10773334