【会员新闻】新一代功率半导体材料氧化镓4英寸晶圆量产

NCT公司预计一年生产2万片

      NCT公司（埼玉县狭山市、社长仓又朗人）以2025年为目标准备每年量产2万片100mm（4英寸）的氧化镓（Ga₂O₃）外延片，工厂将增加额外的设备，投资额约为20亿日元。氧化镓作为新一代功率半导体有望成为能够改善材料成本问题的素材，还将推动以6英寸晶圆量产化为目标的技术发展。

      除了制造和加工氧化镓单晶衬底的设备和检测设备外，还将追加引进用于在晶圆上进行氧化镓外延生长的外延设备。计划2022年开发能够同时生產多片外延的新设备，这些设备将在总厂逐步引进。

      与传统的硅制半导体相比，氧化镓半导体可以实现更低的器件功耗和更高的击穿电压。用熔融法可以生长单晶晶体，可以有效地制造单晶晶片。与目前正在实际使用的碳化硅（SiC）等下一代材料相比，晶体生长速度快了约100倍，而且衬底更容易制造，致使成本大幅降低。

      NCT是Tamura的子公司。该公司在世界上首次成功地量产4英寸的氧化镓晶圆，包括在2021年内开发出可承受高达1200伏电压的肖特基势垒二极管（SBD），并参与了功率器件的研究和开发。该公司还计划于2023年对高压电二极管，2025年内对晶体管商品化的实现。