【器件论文】AlGaN/InGaN/β-Ga₂O₃ 与 InAlN/InGaN/β-Ga₂O₃ HEMT 增强射频线性度的比较研究

        由印度阿尼尔-尼鲁康达技术与科学研究所的研究团队在学术期刊 Journal of Electronic Materials 发布了一篇名为 Comparative Study of AlGaN/InGaN/β-Ga₂O₃ and InAlN/InGaN/β-Ga₂O₃ HEMTs for Enhanced RF Linearity（AlGaN/InGaN/β-Ga₂O₃ 与 InAlN/InGaN/β-Ga₂O₃ HEMT 增强射频线性度的比较研究）的文章。

摘要

        本文提出了基于 β-Ga₂O₃ 的 AlGaN/InGaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和基于 β-Ga₂O₃ 的 InAlN/InGaN HEMT，用于高线性射频 (RF) 应用。与 AlGaN/InGaN HEMT 相比，InAlN/InGaN HEMT 表现出优异的直流 (DC) 和射频性能。所提出的基于 β-Ga₂O₃ 衬底的 InAlN/InGaN HEMT 表现出 5.9 A/mm 的 I_DS、0.71 S/mm 的 g_m（栅极电压摆幅 (GVS) 为 7.753 V）、73 V 的 V_BR、290/364 GHz 的 f_T/f_max 和 38.6 dB 的 OIP3（输出三阶交截点）；而基于 β-Ga₂O₃ 衬底的 AlGaN/InGaN HEMT 则表现出 3.75 A/mm 的 I_DS、0.68 S/mm 的 g_m（GVS 为 6 V）、85 V 的 V_BR、268/320 GHz 的 f_T/f_max 和 41.2 dB 的 OIP3。这些研究结果表明，基于 β-Ga₂O₃ 衬底的 InGaN 沟道 HEMT 是未来高线性射频应用的可行平台。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s11664-024-11664-y