【器件论文】评估氧化镓功率器件芯片固定技术的粘接强度

        由美国阿肯色大学的研究团队在 2024 第 11 届电气和电子工程师学会宽带隙功率器件与应用研讨会(WiPDA)发表了一篇名为 Evaluation of the Bonding Strength of Die Attachment Techniques for Gallium Oxide Power Devices（评估氧化镓功率器件芯片固定技术的粘接强度）的文章。

摘要

        由于其优异的特性，氧化镓 (Ga₂O₃) 在电子封装中的集成在近期研究中受到了广泛关注。尽管人们对此越来越感兴趣，但该技术仍主要处于学术研究阶段，这很大程度上是由于缺乏关于封装过程的全面数据。芯片贴装是建立功能可靠的半导体封装的关键因素。本研究阐明了可能影响 Ga₂O₃ 芯片在传统直接键合铜 (DBC) 上键合强度的各种因素。通过使用各种芯片贴装材料和方法将 Ga₂O₃ 和 Si 芯片贴装到镀金 DBC 上，制备了多个样品。通过剪切测试评估了每个样品的键合强度。结果表明，表面粗糙度、芯片贴装方法、芯片贴装材料、金属化以及芯片尺寸显着影响键合强度。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/WiPDA62103.2024.10773288