【器件论文】基于紫外增强钯功能化 Ga₂O₃ 微晶的二氧化氮传感器异常响应行为研究

        近期由南京大学的研究团队在学术期刊 Sensors and Actuators B: Chemical 发布了一篇名为 Study on unusual response behavior of NO₂ sensor based on UV enhanced Pd-functionalized Ga₂O₃ microrods（基于紫外增强钯功能化 Ga₂O₃ 微晶的二氧化氮传感器异常响应行为研究）的文章。

摘要

        此项研究合成了 Pd/Ga₂O₃ 复合材料，并评估了其在室温（RT）下对 NO₂ 的气敏性能。与单一 Ga₂O₃ 材料相比，Pd/Ga₂O₃ 复合材料展现出更优异的气敏性能，同时对其异常响应机制进行了详细分析。在紫外（UV）照射下，Pd/Ga₂O₃ 传感器的性能显著提升。对于 100 ppm 的 NO₂ 气体，UV 增强的 Pd/Ga₂O₃ 传感器（UV Pd/Ga₂O₃）的响应值达到了 146.56%，显著超过未增强的 Pd/Ga₂O₃ 和纯 Ga₂O₃ 传感器。具体来说，UV Pd/Ga₂O₃ 传感器的响应值较 Pd/Ga₂O₃ 提升了 1.5 倍，较 Ga₂O₃ 提升了 2.17 倍。此外，UV Pd/Ga₂O₃ 传感器的响应和恢复时间分别为 12 秒和 23 秒，显著快于 Ga₂O₃ 传感器的 20 秒和 82 秒。NO₂ 的检测限被提升至 51 ppb，相较于此前基于室温 Ga₂O₃ 的传感器取得了显著进展。UV Pd/Ga₂O₃ 传感器还表现出卓越的选择性、重复性、抗湿性以及长期稳定性。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.snb.2025.137266