【器件论文】基于 β-Ga₂O 的双栅漏极扩展结低 FET 建模及其参数提取方法

        由印度卡纳塔克邦塞阿斯卡尔国家技术学院的研究团队在学术期刊 Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering 发布了一篇名为 Modeling of β-Ga₂O₃ based Double Gate Drain Extended Junction Less FET and its parameterextraction methodology（基于 β-Ga₂O₃ 的双栅漏极扩展结低 FET 建模及其参数提取方法）的文章。

摘要

        本文提出了一种基于 β-Ga₂O₃ 的双栅极漏极扩展结低场效应晶体管 (DG-DeJLFET) 的静态电流模型。该模型由两个串联的电压控制电流源组成。一个电流源解释结 less 场效应晶体管的操作，另一个电流源解释漂移区的电流。该模型通过考虑高电场引起的迁移率降低来制定。还提出了一种基于部分参数在特定操作区域占主导地位的模型参数提取方法。总而言之，提取技术基于较高和较低电场下器件行为的差异。通过将结果与 TCAD 仿真获得的数据进行比较，验证了所提出的参数提取方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-651X/ada819