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【会员论文】南方科技大学于洪宇、汪青团队---优化用于高压电力电子器件的 CuOx/Ga₂O₃ 异质结二极管

日期:2025-03-10阅读:104

        近期,由南方科技大学的研究团队在学术期刊 Nanomaterials 发布了一篇名为 Optimization of CuOx/Ga2O3 Heterojunction Diodes for High-Voltage Power Electronics(优化用于高压电力电子器件的 CuOx/Ga2O3 异质结二极管)的文章。

摘要

        本研究通过调整 CuOx 层的结构参数来优化 CuOx/Ga2O3 异质结二极管 (HJD)。通过调节 Ar/O2 气体比例,精确控制了溅射 CuOx 中的空穴浓度。采用实验研究和 TCAD 仿真系统地评估了 CuOx 层的尺寸和空穴浓度对 HJD 电学性能的影响。结果表明,增加 CuOx 层的直径尺寸或将空穴浓度调整到最佳值可通过减轻电场拥挤效应来显着提高单层 HJD 的击穿电压 (VB)。此外,设计并优化了双层 CuOx 结构(p+ CuOx/p CuOx),以实现 VB 和比导通电阻 (Ron,sp) 之间的理想平衡。该双层 HJD 表现出 2780 V 的高 VB 和 6.46 mΩ·cm2 的低 Ron,sp,进一步产生了 1.2 GW/cm2 的功率优值。这些发现为推进 Ga2O3 器件在电力电子应用中的性能提供了一种有前景的策略。

图 1. (a) 裸蓝宝石、(b) 50 sccm Ar CuOx 薄膜、(c) 50 sccm Ar 和 1 sccm O2 CuOx 薄膜、(d) 50 sccm Ar 和 2 sccm O2 CuOx 薄膜、(e) 50 sccm Ar 和 3 sccm O2 CuOx 薄膜以及 (f) 50 sccm Ar 和 4 sccm O2 CuOx 薄膜的原子力显微镜图像。

图 2. 不同条件下溅射样品的拉曼光谱。

DOI:

doi.org/10.3390/nano15020087