【国际时事】下一代半导体 "氧化镓 "功率器件的开发竞争激烈

      下一代功率半导体氧化镓的开发竞争正在加剧。

      氧化镓的材料性能超过SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），具有耐高压和低损耗的特点。 预计到2030年，其市场规模将超过氮化镓。各公司已经成功生产了一定尺寸的稳定晶圆，并专注于使用氧化镓的功率器件的内部开发。

      NCT的无尘室。已迅速做好包含量产4英寸外延片的设备等准备来应对量产的形势Novel Crystal Technology, Inc. （NCT，埼玉县狭山市）是以Tamura公司的研发部门为基础成立的，β型氧化镓优势在于晶体生长速度和易于加工。控制电流的肖特基势垒二极管（SBD）的目标是在2023年、晶体管在2025年开始进行售卖。

搭载FLOSFIA的氧化镓SBD的DC/DC降压转换器。

      京都大学的新创公司FLOSFIA（京都市西京区）使用的是α（刚玉）型氧化镓。FLOSFIA在展会上展示了一种在DC/DC降压转换器中使用α型氧化镓的SBD，并在今年年内开始SBD的部分量产计划。

      源自东北大学的创业公司C&A（仙台市青叶区），正在追求用与NCT相同的β氧化镓降低成本。C&A已经开发了一种可以在不使用贵金属坩埚的情况下生长晶体。 由于不使用昂贵的铱，生产成本可以大幅降低。

      目前的商业模式主要集中在晶圆的供应上，该公司计划在两年内推出2英寸晶圆。

      2022年，全球功率半导体市场为2万3386亿日元，比前一年增长了11.8%（富士经济社调查）。如SiC和氧化镓等下一代半导体将占这个市场的5%左右，预计到2030年将扩大13倍以上，超过1万亿日元。