【器件论文】基于 β-Ga₂O₃ 的双栅漏极扩展结少 FET 建模及其参数提取方法

        近期，由印度卡纳塔克邦国立技术学院的研究团队在学术期刊 Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering 发布了一篇名为 Modeling of β-Ga₂O₃ based double gate drain extended junction less FET and its parameter extraction methodology（基于 β-Ga₂O₃ 的双栅漏极扩展结少 FET 建模及其参数提取方法）的文章。

摘要

        本文提出了一种基于 β-Ga₂O₃ 的双栅扩展漏极无结场效应晶体管（DG-DeJLFET）的静态电流模型。该模型由两个串联的电压控制电流源组成，其中一个电流源用于描述无结场效应晶体管的操作，而另一个则用于处理漂移区电流。模型通过考虑由于中等电场引起的迁移率降解来进行公式化。本文还提出了一种参数提取方法，考虑到在特定工作区域中某些参数的主导作用。通常，参数提取技术基于设备在中等电场下电流行为的变化。通过与 TCAD 仿真数据进行比较，验证了该参数提取方法的有效性。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-651X/ada819